IRF7822TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 18A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.5 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 60нКл |
| Входная емкость: | 5500пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.14 г. |
| Наименование: | IRF7822TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 30V 18A 2.5W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 500 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор IRF7822TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET-транзистор обладает широким спектром технических характеристик, делающих его идеальным решением для широкого круга применений в электронных устройствах.
Транзистор IRF7822TRPBF отличается высокой надежностью, эффективностью и долговечностью, что делает его незаменимым компонентом при разработке современной электронной аппаратуры. Его ключевые характеристики представлены ниже.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 18A
- Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
- Мощность макс.: 3.1Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Заряд затвора: 60нКл
- Входная емкость: 5500пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.14 г
- Описание Eng: Field-effect transistor, N-channel, 30V 18A 2.5W
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 500 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7822TRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, инверторы, электрические двигатели, системы управления и многое другое. Его высокие характеристики, надежность и эффективность делают его отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать передовые электронные устройства.