• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF7822TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:18A
Сопротивление открытого канала:6.5 мОм
Мощность макс.:3.1Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:60нКл
Входная емкость:5500пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Вес брутто:0.14 г.
Наименование:IRF7822TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:Field-effect transistor, N-channel, 30V 18A 2.5W
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:500 шт
Корпус:SO-8

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор IRF7822TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET-транзистор обладает широким спектром технических характеристик, делающих его идеальным решением для широкого круга применений в электронных устройствах.

Транзистор IRF7822TRPBF отличается высокой надежностью, эффективностью и долговечностью, что делает его незаменимым компонентом при разработке современной электронной аппаратуры. Его ключевые характеристики представлены ниже.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 18A
  • Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
  • Мощность макс.: 3.1Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 1В
  • Заряд затвора: 60нКл
  • Входная емкость: 5500пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Вес брутто: 0.14 г
  • Описание Eng: Field-effect transistor, N-channel, 30V 18A 2.5W
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 500 шт
  • Корпус: SO-8

Транзистор IRF7822TRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, инверторы, электрические двигатели, системы управления и многое другое. Его высокие характеристики, надежность и эффективность делают его отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать передовые электронные устройства.