IRF2907ZSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 160A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.5 мОм |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 270нКл |
| Входная емкость: | 7500пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRF2907ZSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канального типа IRF2907ZSTRLPBF от надежного производителя Infineon Technologies. Этот компонент отличается высокой надежностью и производительностью, что делает его незаменимым в широком спектре электронных устройств и систем.
Транзистор IRF2907ZSTRLPBF обладает максимальным напряжением исток-сток 75В и максимальным током стока 160А, что позволяет использовать его в мощных схемах управления двигателями, источниках питания, инверторах и других приложениях, требующих высокой токовой нагрузки. Сопротивление открытого канала составляет всего 4.5 мОм, что обеспечивает низкие потери и высокий КПД.
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Ток стока макс.: 160A
- Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
- Мощность макс.: 300Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 270нКл
- Входная емкость: 7500пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.35 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRF2907ZSTRLPBF идеально подходит для использования в мощных электронных системах, таких как инверторы для солнечных панелей, источники питания для промышленного оборудования, системы управления электродвигателями в электромобилях и другие приложения, требующие высокой токовой нагрузки и эффективности. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор обеспечивает надежную и эффективную работу в самых сложных условиях эксплуатации.