Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFI530NPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот компонент отличается надежностью, высокой эффективностью и широкими возможностями применения в современной электронике.

IRFI530NPBF является одним из наиболее востребованных одиночных MOSFET транзисторов на рынке. Он сочетает в себе высокое напряжение сток-исток до 100В, внушительный ток стока до 12А и малое сопротивление открытого канала всего 110 мОм, что обеспечивает отличные коммутационные характеристики и низкие потери.

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 12А
• Сопротивление открытого канала: 110 мОм
• Мощность макс.: 41Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 44нКл
• Входная емкость: 640пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220F
• Вес брутто: 3.5 г

Благодаря своим характеристикам, транзистор IRFI530NPBF находит широкое применение в различных областях электроники: в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, электродвигателях, коммутационных схемах и многих других устройствах. Он является надежным и эффективным решением для инженеров, стремящихся к высокой производительности и энергоэффективности своих разработок.