IRF3703PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 210А 230Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 210A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.8 мОм |
| Мощность макс.: | 3.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 209нКл |
| Входная емкость: | 8250пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.97 г. |
| Наименование: | IRF3703PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRF3703PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 210А 230Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 210A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.