IPD50R800CEAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 550В |
| Ток стока макс.: | 7.6А |
| Сопротивление открытого канала: | 0.8Ом |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.36 г. |
| Наименование: | IPD50R800CEAUMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
IPD50R800CEAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 550В Ток стока макс.: 7.6А Сопротивление открытого канала: 0.8Ом Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount Корпус: DPAK/TO-252AA
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.