IRFH8307TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A PQFN
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 42A(Ta),100A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 1.3 мОм @ 50А, 10В |
| Мощность макс.: | 3.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В @ 150 µA |
| Заряд затвора: | 120нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 7200пФ @ 15В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Power56 |
| Наименование: | IRFH8307TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 100A PQFN |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
Описание
IRFH8307TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A PQFN - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 42A(Ta),100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.