RFD14N05LSM, Транзистор полевой N-канальный 50В 14A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 50В |
| Ток стока макс.: | 14A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 48Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 40нКл |
| Входная емкость: | 670пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | RFD14N05LSM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт. |
Описание
Компонент RFD14N05LSM, Транзистор полевой N-канальный 50В 14A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.