K4FBE3D4HM-GHCL, Динамическая память - SDRAM
Нет изображения
| Категория: | Динамическая память - SDRAM |
|---|---|
| Производитель: | |
| Наличие: | В наличии |
| Наименование: | K4FBE3D4HM-GHCL |
| Производитель: | Samsung Semiconductor |
| Описание Eng: | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin FPGA |
| Тип упаковки: | Palette (палетта) |
| Нормоупаковка: | 1 шт. |
Описание
K4FBE3D4HM-GHCL, Динамическая память - SDRAM - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Наименование: K4FBE3D4HM-GHCL Производитель: Samsung Semiconductor Описание Eng: DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin FPGA Тип упаковки: Palette (палетта) Нормоупаковка: 1 шт.
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.