NDS331N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3А 0.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 1.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 160 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 5нКл |
| Входная емкость: | 162пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | NDS331N |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
| Корпус: | SOT-23-3 (SUPERSOT-23) |
Описание
NDS331N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3А 0.5Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.