SI2338DS-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 28 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 13нКл |
| Входная емкость: | 424пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | SI2338DS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI2338DS-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Vishay.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 3000 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
- Производитель: Vishay
- Сопротивление открытого канала: 28 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount