• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLML6302TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.78А 0,54Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:20В
Ток стока макс.:780мА
Сопротивление открытого канала:600 мОм
Мощность макс.:540мВт
Тип транзистора:P-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:1.5В
Заряд затвора:3.6нКл
Входная емкость:97пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Вес брутто:0.05 г.
Наименование:IRLML6302TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:P-LogL 20V 0,78A 0,54W 0,6R SOT23
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:3000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию IRLML6302TRPBF - высокопроизводительный полевой транзистор P-канала от известного производителя Infineon Technologies. Этот компонент предназначен для широкого спектра применений в электронных устройствах, требующих надежного управления мощностью и эффективного распределения энергии.

Транзистор IRLML6302TRPBF отличается превосходными характеристиками, включая низкое сопротивление открытого канала, высокую токовую нагрузку и малые габариты в корпусе Micro3™ (SOT-23/TO-236AB). Эти особенности делают его идеальным выбором для таких применений, как управление питанием, коммутация нагрузок, инверторы, источники питания и многое другое.

  • Напряжение исток-сток макс.: 20В
  • Ток стока макс.: 780мА
  • Сопротивление открытого канала: 600 мОм
  • Мощность макс.: 540мВт
  • Тип транзистора: P-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
  • Заряд затвора: 3.6нКл
  • Входная емкость: 97пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
  • Вес брутто: 0.05 г.

Транзистор IRLML6302TRPBF от Infineon Technologies идеально подходит для широкого спектра электронных приложений, где требуется управление мощностью, коммутация нагрузок, инверторы и источники питания. Благодаря своим компактным размерам, высокой производительности и низкому сопротивлению открытого канала, этот транзистор является отличным выбором для разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.