NTLJS2103PTBG, Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 3.5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 3.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 40 мОм |
| Мощность макс.: | 700мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 800mВ |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 1157пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | 6-WDFN (2x2) |
| Наименование: | NTLJS2103PTBG |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент NTLJS2103PTBG, Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 3.5 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.