• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

MMBF170Q-7-F, Полевой транзистор N-канальный

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Diodes Incorporated
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:500мА
Сопротивление открытого канала:5 Ом
Мощность макс.:300мВт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:±20В
Входная емкость:40пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Наименование:MMBF170Q-7-F
Производитель:Diodes Incorporated
Описание Eng:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Нормоупаковка:3000 шт.

Описание

MMBF170Q-7-F, Полевой транзистор N-канальный - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.

Технические характеристики:

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В

Производитель: Diodes Incorporated. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.

Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.