MMBF170Q-7-F, Полевой транзистор N-канальный
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 500мА |
| Сопротивление открытого канала: | 5 Ом |
| Мощность макс.: | 300мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | ±20В |
| Входная емкость: | 40пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | MMBF170Q-7-F |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
MMBF170Q-7-F, Полевой транзистор N-канальный - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Производитель: Diodes Incorporated. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.