IRF9335TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.4A 8-Pin SOIC N лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 5.4A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 59 мОм @ 5.4А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.4В @ 10 µA |
| Заряд затвора: | 14нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 386пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.22 г. |
| Наименование: | IRF9335TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой P-канальный транзистор IRF9335TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается высокой надёжностью, широким диапазоном рабочих напряжений и токов, а также эффективным управлением за счёт логического уровня напряжения на затворе. Благодаря своим характеристикам, IRF9335TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники.
Ключевые характеристики транзистора IRF9335TRPBF:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 5.4A(Ta)
- Сопротивление открытого канала: 59 мОм @ 5.4А, 10В
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 10 µA
- Заряд затвора: 14нКл @ 10В
- Входная емкость: 386пФ @ 25В
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.22 г.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF9335TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, контроллеры двигателей, усилители мощности и другие устройства, где требуется надёжный и эффективный ключевой элемент с высокой коммутационной способностью. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для использования в современных высокопроизводительных электронных схемах.