• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF9335TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.4A 8-Pin SOIC N лента на катушке

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:5.4A(Ta)
Сопротивление открытого канала:59 мОм @ 5.4А, 10В
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:P-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.4В @ 10 µA
Заряд затвора:14нКл @ 10В
Входная емкость:386пФ @ 25В
Тип монтажа:Surface Mount
Вес брутто:0.22 г.
Наименование:IRF9335TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт
Корпус:SO-8

Описание

Представляем вашему вниманию мощный полевой P-канальный транзистор IRF9335TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается высокой надёжностью, широким диапазоном рабочих напряжений и токов, а также эффективным управлением за счёт логического уровня напряжения на затворе. Благодаря своим характеристикам, IRF9335TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники.

Ключевые характеристики транзистора IRF9335TRPBF:

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 5.4A(Ta)
  • Сопротивление открытого канала: 59 мОм @ 5.4А, 10В
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: P-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 10 µA
  • Заряд затвора: 14нКл @ 10В
  • Входная емкость: 386пФ @ 25В
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Вес брутто: 0.22 г.
  • Описание Eng: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 4000 шт
  • Корпус: SO-8

Транзистор IRF9335TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, контроллеры двигателей, усилители мощности и другие устройства, где требуется надёжный и эффективный ключевой элемент с высокой коммутационной способностью. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для использования в современных высокопроизводительных электронных схемах.