NVF3055L108T1G, Транзистор полевой N-канальный 60В 3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 120 мОм |
| Мощность макс.: | 1.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 440пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.5 г. |
| Наименование: | NVF3055L108T1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
| Корпус: | SOT-223 |
Описание
Компонент NVF3055L108T1G, Транзистор полевой N-канальный 60В 3A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.