FDG311N, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 1.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 115 мОм |
| Мощность макс.: | 480мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 4.5нКл |
| Входная емкость: | 270пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-363 |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | FDG311N |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Техническое описание: FDG311N, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.9 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 115 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 1.9A
- Вес брутто: 0.05 г.
- Входная емкость: 270пФ