FDI150N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 57 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 57A |
| Сопротивление открытого канала: | 16 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 69нКл |
| Входная емкость: | 4760пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | I2PAK |
| Наименование: | FDI150N10 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Техническое описание: FDI150N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 57 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 50 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 16 мОм
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)