FDS6690AS, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 12 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 23нКл |
| Входная емкость: | 910пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.12 г. |
| Наименование: | FDS6690AS |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 30V 10A 2.5W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
FDS6690AS, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.