NVD6416ANLT4G-VF01, Полевой транзистор N-канальный 100В 19A DPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 19A |
| Сопротивление открытого канала: | 74 мОм |
| Мощность макс.: | 71Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | ±20В |
| Заряд затвора: | 40нКл |
| Входная емкость: | 1000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | NVD6416ANLT4G-VF01 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
NVD6416ANLT4G-VF01, Полевой транзистор N-канальный 100В 19A DPAK - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.