IRF630NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 9.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 300 мОм |
| Мощность макс.: | 82Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 35нКл |
| Входная емкость: | 575пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRF630NSPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRF630NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.