IRFBA90N20D, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 98 А, 650 Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 98A |
| Мощность макс.: | 650Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Вес брутто: | 3 г. |
| Наименование: | IRFBA90N20D |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 200 V, 98 A, 650 W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
| Корпус: | SUPER-220[тм] (TO-273AA) |
Описание
IRFBA90N20D, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 98 А, 650 Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 98A Мощность макс.: 650Вт Тип транзистора: N-канал Вес брутто: 3 г. Наименование: IRFBA90N20D
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.