IRF3205SPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 110A |
| Сопротивление открытого канала: | 8 мОм |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 146нКл |
| Входная емкость: | 3247пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRF3205SPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Компонент IRF3205SPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.