IRF9333PBF, Транзистор полевой P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 9.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 19.4 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.4В |
| Заряд затвора: | 38нКл |
| Входная емкость: | 1110пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Multiwatt |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF9333PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 9.2 A, 2.5 W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 95 шт |
Описание
IRF9333PBF, Транзистор полевой P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.