Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор N-канала IRF1010NPBF от Infineon Technologies. Этот компонент отличается надежностью, высокой мощностью и низким сопротивлением открытого канала, что делает его идеальным выбором для широкого спектра применений в силовой электронике.

Транзистор IRF1010NPBF обладает впечатляющими характеристиками, которые позволяют использовать его в высокопроизводительных схемах. Его основные технические параметры представлены ниже:

• Напряжение исток-сток макс.: 55В
• Ток стока макс.: 85A
• Сопротивление открытого канала: 11 мОм
• Мощность макс.: 180Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 120нКл
• Входная емкость: 3210пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.73 г.

Транзистор IRF1010NPBF находит широкое применение в различных областях силовой электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, приводы двигателей и другие высокомощные устройства. Его высокая надежность и эффективность делают его незаменимым компонентом при проектировании современных электронных систем.