• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF3205PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:55В
Ток стока макс.:110A
Сопротивление открытого канала:8 мОм
Мощность макс.:200Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:146нКл
Входная емкость:3247пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220AB
Вес брутто:2.7 г.
Наименование:IRF3205PBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный полевой N-канальный транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies - IRF3205PBF. Этот транзистор отличается высокими техническими характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах и системах.

Транзистор IRF3205PBF обладает максимальным напряжением сток-исток 55В, максимальным током стока 110А и максимальной мощностью 200Вт. Его сопротивление открытого канала составляет всего 8 мОм, что обеспечивает низкие потери и высокую эффективность. Благодаря этим характеристикам, данный транзистор идеально подходит для использования в силовой электронике, инверторах, источниках питания, электродвигателях и других приложениях, где требуются высокая мощность и производительность.

  • Напряжение исток-сток макс.: 55В
  • Ток стока макс.: 110А
  • Сопротивление открытого канала: 8 мОм
  • Мощность макс.: 200Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.:
  • Заряд затвора: 146нКл
  • Входная емкость: 3247пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220AB
  • Вес брутто: 2.7 г

Транзистор IRF3205PBF может использоваться в широком спектре приложений, включая регуляторы напряжения, инверторы, преобразователи постоянного тока, системы управления электродвигателями, источники питания для промышленного и бытового оборудования, а также в других высокопроизводительных электрических и электронных системах. Благодаря своим выдающимся характеристикам, данный транзистор является отличным выбором для инженеров, разработчиков и специалистов, работающих в области силовой электроники.