IRF3205PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 110A |
| Сопротивление открытого канала: | 8 мОм |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 146нКл |
| Входная емкость: | 3247пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.7 г. |
| Наименование: | IRF3205PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой N-канальный транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies - IRF3205PBF. Этот транзистор отличается высокими техническими характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах и системах.
Транзистор IRF3205PBF обладает максимальным напряжением сток-исток 55В, максимальным током стока 110А и максимальной мощностью 200Вт. Его сопротивление открытого канала составляет всего 8 мОм, что обеспечивает низкие потери и высокую эффективность. Благодаря этим характеристикам, данный транзистор идеально подходит для использования в силовой электронике, инверторах, источниках питания, электродвигателях и других приложениях, где требуются высокая мощность и производительность.
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 110А
- Сопротивление открытого канала: 8 мОм
- Мощность макс.: 200Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 146нКл
- Входная емкость: 3247пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.7 г
Транзистор IRF3205PBF может использоваться в широком спектре приложений, включая регуляторы напряжения, инверторы, преобразователи постоянного тока, системы управления электродвигателями, источники питания для промышленного и бытового оборудования, а также в других высокопроизводительных электрических и электронных системах. Благодаря своим выдающимся характеристикам, данный транзистор является отличным выбором для инженеров, разработчиков и специалистов, работающих в области силовой электроники.