• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFP250NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт, 0.085 Ом

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:200В
Ток стока макс.:30A
Сопротивление открытого канала:75 мОм
Мощность макс.:214Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:123нКл
Входная емкость:2159пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-247AC
Вес брутто:7.04 г.
Наименование:IRFP250NPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:25 шт

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор IRFP250NPBF, разработанный компанией Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор обладает впечатляющими характеристиками, делающими его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств.

Благодаря максимальному напряжению сток-исток 200В, максимальному току стока 30А и сопротивлению открытого канала всего 75 мОм, IRFP250NPBF способен обеспечивать высокую мощность и эффективность в различных применениях. Корпус типа TO-247AC и возможность монтажа через отверстия платы делают этот транзистор простым в интеграции и надежным в эксплуатации.

  • Напряжение исток-сток макс.: 200В
  • Ток стока макс.: 30А
  • Сопротивление открытого канала: 75 мОм
  • Мощность макс.: 214Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 123нКл
  • Входная емкость: 2159пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247AC
  • Вес брутто: 7.04 г.

Транзистор IRFP250NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, управление двигателями, сварочное оборудование и многое другое. Его высокая мощность, эффективность и надежность делают его идеальным выбором для разработчиков, стремящихся создавать мощные и энергоэффективные устройства.