IRFP250NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт, 0.085 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 30A |
| Сопротивление открытого канала: | 75 мОм |
| Мощность макс.: | 214Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 123нКл |
| Входная емкость: | 2159пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247AC |
| Вес брутто: | 7.04 г. |
| Наименование: | IRFP250NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 25 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор IRFP250NPBF, разработанный компанией Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор обладает впечатляющими характеристиками, делающими его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств.
Благодаря максимальному напряжению сток-исток 200В, максимальному току стока 30А и сопротивлению открытого канала всего 75 мОм, IRFP250NPBF способен обеспечивать высокую мощность и эффективность в различных применениях. Корпус типа TO-247AC и возможность монтажа через отверстия платы делают этот транзистор простым в интеграции и надежным в эксплуатации.
- Напряжение исток-сток макс.: 200В
- Ток стока макс.: 30А
- Сопротивление открытого канала: 75 мОм
- Мощность макс.: 214Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 123нКл
- Входная емкость: 2159пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247AC
- Вес брутто: 7.04 г.
Транзистор IRFP250NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, управление двигателями, сварочное оборудование и многое другое. Его высокая мощность, эффективность и надежность делают его идеальным выбором для разработчиков, стремящихся создавать мощные и энергоэффективные устройства.