• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFP2907PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 177А 330Вт, 0.0045 Ом

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:75В
Ток стока макс.:209A
Сопротивление открытого канала:4.5 мОм
Мощность макс.:470Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:620нКл
Входная емкость:13000пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-247AC
Вес брутто:7.17 г.
Наименование:IRFP2907PBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:25 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFP2907PBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается исключительными характеристиками, которые делают его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств и систем.

IRFP2907PBF обладает впечатляющими показателями по напряжению, току и мощности, что позволяет использовать его в высокоэффективных силовых схемах, преобразователях и инверторах. Его надежная конструкция и высокая производительность делают этот транзистор идеальным выбором для таких применений, как промышленная автоматизация, возобновляемая энергетика, электротранспорт и многое другое.

  • Напряжение исток-сток макс.: 75В
  • Ток стока макс.: 209A
  • Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
  • Мощность макс.: 470Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 620нКл
  • Входная емкость: 13000пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247AC
  • Вес брутто: 7.17 г.

Транзистор IRFP2907PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая силовую электронику, промышленную автоматизацию, возобновляемые источники энергии, электрические транспортные средства и многое другое. Его высокая производительность, надежность и универсальность делают его незаменимым компонентом для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать высокоэффективные и надежные электронные системы.