IRFP2907PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 177А 330Вт, 0.0045 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 209A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.5 мОм |
| Мощность макс.: | 470Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 620нКл |
| Входная емкость: | 13000пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247AC |
| Вес брутто: | 7.17 г. |
| Наименование: | IRFP2907PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 25 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFP2907PBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается исключительными характеристиками, которые делают его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств и систем.
IRFP2907PBF обладает впечатляющими показателями по напряжению, току и мощности, что позволяет использовать его в высокоэффективных силовых схемах, преобразователях и инверторах. Его надежная конструкция и высокая производительность делают этот транзистор идеальным выбором для таких применений, как промышленная автоматизация, возобновляемая энергетика, электротранспорт и многое другое.
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Ток стока макс.: 209A
- Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
- Мощность макс.: 470Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 620нКл
- Входная емкость: 13000пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247AC
- Вес брутто: 7.17 г.
Транзистор IRFP2907PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая силовую электронику, промышленную автоматизацию, возобновляемые источники энергии, электрические транспортные средства и многое другое. Его высокая производительность, надежность и универсальность делают его незаменимым компонентом для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать высокоэффективные и надежные электронные системы.