IRF2807PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82А 200Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 82A |
| Сопротивление открытого канала: | 13 мОм |
| Мощность макс.: | 230Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 160нКл |
| Входная емкость: | 3820пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.8 г. |
| Наименование: | IRF2807PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB, 200W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор N-канального типа IRF2807PBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный MOSFET-транзистор с высокой токовой нагрузкой и низким сопротивлением открытого канала идеально подходит для широкого спектра применений в современной электронике.
Транзистор IRF2807PBF отличается превосходными характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток до 75 В, максимальный ток стока до 82 А и максимальная мощность до 230 Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 13 мОм, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери энергии в различных схемах силовой электроники.
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Ток стока макс.: 82A
- Сопротивление открытого канала: 13 мОм
- Мощность макс.: 230Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 160нКл
- Входная емкость: 3820пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.8 г
Транзистор IRF2807PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая силовые преобразователи, инверторы, источники питания, сварочное оборудование, электродвигатели и многое другое. Его высокие характеристики и надежность делают этот MOSFET-транзистор незаменимым компонентом для разработки современных и эффективных электронных устройств.