IRF5210PBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 200Вт, 0.06 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 40A |
| Сопротивление открытого канала: | 60 мОм |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 180нКл |
| Входная емкость: | 2700пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 3 г. |
| Наименование: | IRF5210PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный P-канальный полевой транзистор IRF5210PBF от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих надежного и эффективного управления током и напряжением.
Ключевые характеристики транзистора IRF5210PBF:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 40A
- Сопротивление открытого канала: 60 мОм
- Мощность макс.: 200Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 180нКл
- Входная емкость: 2700пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 3 г.
Транзистор IRF5210PBF находит широкое применение в импульсных источниках питания, инверторах, регуляторах напряжения, сварочных аппаратах, электрических двигателях, электрических транспортных средствах и других высокомощных электронных системах. Его высокая надежность и эффективность позволяют создавать компактные и энергоэффективные устройства, отвечающие современным требованиям.