IRFB3507PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 97А 190Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 97A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.8 мОм |
| Мощность макс.: | 190Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 130нКл |
| Входная емкость: | 3540пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 Isolated Tab |
| Вес брутто: | 2.83 г. |
| Наименование: | IRFB3507PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 75V 97A |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFB3507PBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET-транзистор отличается превосходными характеристиками и надежностью, что делает его идеальным выбором для широкого спектра электронных приложений.
Транзистор IRFB3507PBF обладает впечатляющими параметрами: максимальное напряжение сток-исток 75В, ток стока до 97А и максимальная мощность 190Вт. Его низкое сопротивление открытого канала всего 8.8 мОм обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери. Кроме того, данная модель отличается быстрым переключением и малым зарядом затвора 130нКл.
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Ток стока макс.: 97A
- Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм
- Мощность макс.: 190Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 130нКл
- Входная емкость: 3540пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220 Isolated Tab
- Вес брутто: 2.83 г
Транзистор IRFB3507PBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи постоянного тока, высокочастотные коммутаторы и другие мощные электронные схемы. Его надежность и высокая производительность делают его незаменимым компонентом для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.