Представляем вашему вниманию транзистор MOSFET N-канальный IRFB5615PBF от Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент обладает впечатляющими техническими характеристиками и отличается надежностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для широкого спектра применений в электронике.

Основные характеристики транзистора IRFB5615PBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 150В
• Ток стока макс.: 35А
• Сопротивление открытого канала: 39 мОм
• Мощность макс.: 144Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 40нКл
• Входная емкость: 1750пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220 Isolated Tab
• Вес брутто: 2.78 г

Транзистор IRFB5615PBF от Infineon Technologies отлично подходит для использования в широком спектре электронных устройств, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, сварочное оборудование, регуляторы мощности и многое другое. Его высокая производительность, надежность и эффективность делают его идеальным выбором для инженеров и разработчиков, работающих над созданием современных и энергоэффективных электронных систем.