• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFP4110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:100В
Ток стока макс.:120A
Сопротивление открытого канала:4.5 мОм
Мощность макс.:370Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:210нКл
Входная емкость:9620пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-247AC
Вес брутто:7 г.
Наименование:IRFP4110PBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:25 шт

Описание

Транзистор IRFP4110PBF от Infineon Technologies - это мощный N-канальный полевой MOSFET транзистор, предназначенный для использования в высокопроизводительных силовых электронных схемах. Благодаря своим впечатляющим характеристикам, таким как высокое напряжение сток-исток и большой ток стока, этот транзистор находит широкое применение в различных областях электроники.

Ключевые характеристики транзистора IRFP4110PBF:

  • Напряжение исток-сток макс.: 100В
  • Ток стока макс.: 120A
  • Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
  • Мощность макс.: 370Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 210нКл
  • Входная емкость: 9620пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247AC
  • Вес брутто: 7 г.

Транзистор IRFP4110PBF идеально подходит для использования в высокомощных импульсных источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, сварочных аппаратах, электродвигателях и других приложениях, где требуются высокие значения напряжения и тока. Его надежная конструкция и высокая производительность делают его отличным выбором для инженеров, работающих над проектами в области силовой электроники.