IRFP4868PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 70А 517Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 300В |
| Ток стока макс.: | 70A |
| Сопротивление открытого канала: | 32 мОм |
| Мощность макс.: | 517Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 270нКл |
| Входная емкость: | 10774пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247AC |
| Вес брутто: | 7.8 г. |
| Наименование: | IRFP4868PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 25 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFP4868PBF от компании Infineon Technologies. Данная модель относится к категории одиночных MOSFET транзисторов и отличается впечатляющими техническими характеристиками, делающими её незаменимым компонентом для широкого спектра электронных устройств.
IRFP4868PBF - это N-канальный MOSFET транзистор с максимальным напряжением сток-исток 300В, максимальным током стока 70А и максимальной мощностью 517Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала 32 мОм, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери энергии в электрических цепях.
- Напряжение исток-сток макс.: 300В
- Ток стока макс.: 70A
- Сопротивление открытого канала: 32 мОм
- Мощность макс.: 517Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 270нКл
- Входная емкость: 10774пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247AC
- Вес брутто: 7.8 г
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 25 шт
Транзистор IRFP4868PBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, моторные приводы, усилители мощности и другие высокомощные схемы. Благодаря своим исключительным характеристикам, этот компонент является идеальным выбором для инженеров, стремящихся создавать надежные, энергоэффективные и высокопроизводительные электронные устройства.