• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFP4868PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 70А 517Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:300В
Ток стока макс.:70A
Сопротивление открытого канала:32 мОм
Мощность макс.:517Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:270нКл
Входная емкость:10774пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-247AC
Вес брутто:7.8 г.
Наименование:IRFP4868PBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:25 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFP4868PBF от компании Infineon Technologies. Данная модель относится к категории одиночных MOSFET транзисторов и отличается впечатляющими техническими характеристиками, делающими её незаменимым компонентом для широкого спектра электронных устройств.

IRFP4868PBF - это N-канальный MOSFET транзистор с максимальным напряжением сток-исток 300В, максимальным током стока 70А и максимальной мощностью 517Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала 32 мОм, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери энергии в электрических цепях.

  • Напряжение исток-сток макс.: 300В
  • Ток стока макс.: 70A
  • Сопротивление открытого канала: 32 мОм
  • Мощность макс.: 517Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.:
  • Заряд затвора: 270нКл
  • Входная емкость: 10774пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247AC
  • Вес брутто: 7.8 г
  • Тип упаковки: Tube (туба)
  • Нормоупаковка: 25 шт

Транзистор IRFP4868PBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, моторные приводы, усилители мощности и другие высокомощные схемы. Благодаря своим исключительным характеристикам, этот компонент является идеальным выбором для инженеров, стремящихся создавать надежные, энергоэффективные и высокопроизводительные электронные устройства.