IRFP90N20DPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 94А 580Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 94A |
| Сопротивление открытого канала: | 23 мОм |
| Мощность макс.: | 580Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 270нКл |
| Входная емкость: | 6040пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247AC |
| Вес брутто: | 7.1 г. |
| Наименование: | IRFP90N20DPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | N-Ch 200V 94A 580W 0,023 Om |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 25 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFP90N20DPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот компонент отличается высокими рабочими характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.
Транзистор IRFP90N20DPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 200В, максимальным током стока 94А и максимальной мощностью 580Вт. Сопротивление открытого канала составляет всего 23 мОм, что обеспечивает высокую эффективность и низкие потери. Благодаря своим характеристикам, данный транзистор идеально подходит для использования в высоковольтных, высокотоковых и мощных электронных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 200В
- Ток стока макс.: 94A
- Сопротивление открытого канала: 23 мОм
- Мощность макс.: 580Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 270нКл
- Входная емкость: 6040пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247AC
- Вес брутто: 7.1 г
- Описание Eng: N-Ch 200V 94A 580W 0,023 Om
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 25 шт
Транзистор IRFP90N20DPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, устройства управления двигателями и многое другое. Его надежность, высокая производительность и широкий диапазон рабочих параметров делают его незаменимым компонентом для разработчиков современной электронной аппаратуры.