• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLB3036PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 190А 380Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:195A
Сопротивление открытого канала:2.4 мОм
Мощность макс.:380Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.5В
Заряд затвора:140нКл
Входная емкость:11210пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220 Isolated Tab
Вес брутто:2.84 г.
Наименование:IRLB3036PBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:N-MOS 60V, 190A, 380W (Logic-Level)
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRLB3036PBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET-транзистор с логическим уровнем управления обладает впечатляющими характеристиками, делающими его незаменимым компонентом для широкого спектра электронных устройств и силовых систем.

Основные преимущества IRLB3036PBF включают в себя высокий ток стока до 195А, низкое сопротивление открытого канала всего 2.4 мОм, а также максимальное напряжение исток-сток до 60В и мощность рассеяния 380Вт. Благодаря этим характеристикам, данный транзистор идеально подходит для использования в качестве ключевого элемента в высокотоковых и высоковольтных применениях.

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В
  • Ток стока макс.: 195А
  • Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
  • Мощность макс.: 380Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
  • Заряд затвора: 140нКл
  • Входная емкость: 11210пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220 Isolated Tab
  • Вес брутто: 2.84 г

IRLB3036PBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, электродвигатели и приводы, сварочное оборудование, системы освещения, а также в промышленной автоматизации и других высокотоковых приложениях. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать надежные и эффективные электронные устройства.