IRLB3036PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 190А 380Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 195A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.4 мОм |
| Мощность макс.: | 380Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 140нКл |
| Входная емкость: | 11210пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 Isolated Tab |
| Вес брутто: | 2.84 г. |
| Наименование: | IRLB3036PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | N-MOS 60V, 190A, 380W (Logic-Level) |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRLB3036PBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET-транзистор с логическим уровнем управления обладает впечатляющими характеристиками, делающими его незаменимым компонентом для широкого спектра электронных устройств и силовых систем.
Основные преимущества IRLB3036PBF включают в себя высокий ток стока до 195А, низкое сопротивление открытого канала всего 2.4 мОм, а также максимальное напряжение исток-сток до 60В и мощность рассеяния 380Вт. Благодаря этим характеристикам, данный транзистор идеально подходит для использования в качестве ключевого элемента в высокотоковых и высоковольтных применениях.
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 195А
- Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
- Мощность макс.: 380Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
- Заряд затвора: 140нКл
- Входная емкость: 11210пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220 Isolated Tab
- Вес брутто: 2.84 г
IRLB3036PBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, электродвигатели и приводы, сварочное оборудование, системы освещения, а также в промышленной автоматизации и других высокотоковых приложениях. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать надежные и эффективные электронные устройства.