IRLML5103TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.76А 0.54Вт, 0.60 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 760мА |
| Сопротивление открытого канала: | 600 мОм |
| Мощность макс.: | 540мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 5.1нКл |
| Входная емкость: | 75пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) |
| Вес брутто: | 0.06 г. |
| Наименование: | IRLML5103TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET P-канальный IRLML5103TRPBF от известного производителя Infineon Technologies. Этот компонент обладает широким спектром технических характеристик, делающих его незаменимым в различных электронных устройствах.
Транзистор IRLML5103TRPBF отличается надежностью, высокой производительностью и энергоэффективностью, что делает его идеальным выбором для применения в схемах управления питанием, усилителях, переключателях и других устройствах, требующих точного контроля электрических сигналов.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 760мА
- Сопротивление открытого канала: 600 мОм
- Мощность макс.: 540мВт
- Тип транзистора: P-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Заряд затвора: 5.1нКл
- Входная емкость: 75пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
- Вес брутто: 0.06 г.
Транзистор IRLML5103TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая системы управления питанием, аналоговые и цифровые схемы, источники питания, светодиодные драйверы и многое другое. Его высокая производительность и энергоэффективность делают его идеальным выбором для разработчиков, стремящихся создавать передовые и надежные электронные устройства.