NTE4153NT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 915мА, 0.3Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 915мА |
| Сопротивление открытого канала: | 230 мОм |
| Мощность макс.: | 300мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.1В |
| Заряд затвора: | 1.82нКл |
| Входная емкость: | 110пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SC-89 |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | NTE4153NT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
NTE4153NT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 915мА, 0.3Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 915мА Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.