NTHD3101FT1G, Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 3.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 80 мОм |
| Мощность макс.: | 1.1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Diode (Isolated) |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 7.4нКл |
| Входная емкость: | 680пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | NTHD3101FT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
| Корпус: | ChipFET[тм] |
Описание
NTHD3101FT1G, Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated)
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.