IRLU120NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 185 мОм |
| Мощность макс.: | 48Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 20нКл |
| Входная емкость: | 440пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-251AA |
| Вес брутто: | 0.71 г. |
| Наименование: | IRLU120NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор IRLU120NPBF производства компании Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET-транзистор обладает широким набором характеристик, которые делают его универсальным решением для множества электронных устройств.
Мощный транзистор IRLU120NPBF способен выдерживать напряжение до 100 вольт и пропускать ток до 10 ампер. Высокая надежность и эффективность достигаются благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 185 миллиом. Устройство рассчитано на максимальную мощность 48 ватт, что позволяет использовать его в широком спектре применений.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 10А
- Сопротивление открытого канала: 185 мОм
- Мощность макс.: 48Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Заряд затвора: 20нКл
- Входная емкость: 440пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-251AA
- Вес брутто: 0.71 г.
Транзистор IRLU120NPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, регуляторы мощности и другие схемы силовой электроники. Благодаря высокой производительности и надежности, этот компонент является отличным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и долговечные электронные устройства.