FDB13AN06A0, Транзистор полевой N-канальный 60В 62A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 10.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 13.5 мОм |
| Мощность макс.: | 115Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 29нКл |
| Входная емкость: | 1350пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FDB13AN06A0 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDB13AN06A0, Транзистор полевой N-канальный 60В 62A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10.9A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.