FDB33N25TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 33A |
| Сопротивление открытого канала: | 94 мОм |
| Мощность макс.: | 235Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 48нКл |
| Входная емкость: | 2135пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2.1 г. |
| Наименование: | FDB33N25TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 250 V, 33 A, 235 W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
FDB33N25TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.