IRF6201TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A 2,5Вт 0,00245Ом SO8
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 27A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 2.45 мОм @ 27А, 4.5В |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.1В @ 100 µA |
| Заряд затвора: | 195нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 8555пФ @ 16В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRF6201TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | N-Ch 20V 27A 2,5W 0,00245R SO8 |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
IRF6201TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A 2,5Вт 0,00245Ом SO8 - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 27A(Ta) Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм @ 27А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.