SI7164DP-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 60В 60A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 60A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.25 мОм |
| Мощность макс.: | 104Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 75нКл |
| Входная емкость: | 2830пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® SO-8 |
| Наименование: | SI7164DP-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент SI7164DP-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 60В 60A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.25 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.