IPD60R1K5CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 5A лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 5A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.5 Ом |
| Мощность макс.: | 49Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | ±20В |
| Заряд затвора: | 9.4нКл |
| Входная емкость: | 200пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD60R1K5CEAUMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 600V 5A T/R |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
IPD60R1K5CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 5A лента на катушке - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 49Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.