FDD6635, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 35В |
| Ток стока макс.: | 15A |
| Сопротивление открытого канала: | 10 мОм |
| Мощность макс.: | 1.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 36нКл |
| Входная емкость: | 1400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.66 г. |
| Наименование: | FDD6635 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 35V 59A 0.010 Ohm |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Компонент FDD6635, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 35В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.