IRLB3034PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 375Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 195A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.7 мОм |
| Мощность макс.: | 375Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 162нКл |
| Входная емкость: | 10315пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220-3 |
| Вес брутто: | 3.02 г. |
| Наименование: | IRLB3034PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | N-LogL 40V 195A 375W 0,0017R |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор IRLB3034PBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный MOSFET-транзистор предназначен для широкого спектра применений, где требуется коммутация больших токов и эффективный теплоотвод.
Транзистор IRLB3034PBF отличается впечатляющими характеристиками, которые делают его идеальным выбором для использования в силовой электронике, системах управления электродвигателями, источниках питания и других высокотоковых приложениях. Рассмотрим основные технические параметры данной модели.
- Напряжение исток-сток макс.: 40В
- Ток стока макс.: 195A
- Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм
- Мощность макс.: 375Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
- Заряд затвора: 162нКл
- Входная емкость: 10315пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220-3
- Вес брутто: 3.02 г
Благодаря своим характеристикам, транзистор IRLB3034PBF идеально подходит для использования в различных областях, включая преобразователи постоянного тока, инверторы, регуляторы скорости электродвигателей, сварочные аппараты, зарядные устройства и многое другое. Его высокая мощность, низкое сопротивление открытого канала и быстрое переключение делают его незаменимым компонентом в современной силовой электронике.