NTGS4111PT1G, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6А 2Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 2.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 60 мОм |
| Мощность макс.: | 630мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 32нКл |
| Входная емкость: | 750пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | 6-TSOP |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | NTGS4111PT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент NTGS4111PT1G, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6А 2Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 630мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.