SI7120ADN-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 21 мОм |
| Мощность макс.: | 1.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 45нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® 1212-8 |
| Наименование: | SI7120ADN-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI7120ADN-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.