IRFR15N20DTRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 17A |
| Сопротивление открытого канала: | 165 мОм |
| Мощность макс.: | 3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5.5В |
| Заряд затвора: | 41нКл |
| Входная емкость: | 910пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.66 г. |
| Наименование: | IRFR15N20DTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Нормоупаковка: | 2000 шт. |
Описание
IRFR15N20DTRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.