NTF2955T1G, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7А 1Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 1.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 185 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 14.3нКл |
| Входная емкость: | 492пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | NTF2955T1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
NTF2955T1G, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7А 1Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.